Přejít k obsahu

Depozice tenkých vrstev

Depoziční systém BOC Edwards TF600

p-dep-pvd

Depoziční systém Edwards TF 600 umožnuje přípravu tenkovrstvých materiálů magnetronovým naprašováním a napařováním elektronovým svazkem. Tenké vrstvy o tloušťkách stovek nanometrů lze připravovat na substráty o rozměrech až 10x10cm, které mohou být vyhřívané na teplotu 400°C. V současné době je systém využívám pro přípravu transparentních vodivých vrstev, vrstev s piezoelektrickými a feroelektrickými vlastnostmi. Kovové vrstvy jsou používány zejména jako elektrody.

SAMCO PD220N PE-CVD systém

p-dep-pe-cvd

Aplikace

•        Depozice oxidů křemíku (SiOx)

•        Depozice nitridů křemíku (SixNy)

•        Depozice oxo-nitridů křemíku (SiOxNy)

•        Depozice hydrogenizovaného amorfního a mikrokrystalického křemíku (a-Si:H /

            μc-Si:H)

•        Plně automatický "one-button" průběh depozice s možností plně manuálního dolaďování

•        Průměr homogenní oblasti až 300mm

Elettrorava PE-CVD multikomorový depoziční systém

p-dep-pe-cvd_5

Aplikace

•        Růst tenkovrstvých solárních článků na bázi křemíku v p-i-n / n-i-p konfiguraci

•        Depozice oxidů křemíku (SiOx), nitridů křemíku (SixNy), oxo-nitridů křemíku (SiOxNy) s kontrolou indexu lomu a šířky zakázaného pásu polovodičů

•        Dotování křemíku na p- i n- typ vodivosti

•        Jednoduché i tandemové struktury, substrát / superstrát, micromorph

 


Elektronová mikroskopie

 Transmisní elektronová mikroskopie

TEM Jeol JEM-2200FS

p-tem

Transmisní elektronový mikroskop s atomovým rozlišením a autoemisním zdrojem elektronů (Field Emission TEM).

•        Rozlišení 0,19 nm

•        Ω filtr energie elektronů zabudovaný v tubusu (in-column) pro měření EELS (spektroskopie ztrát energie elektronů) a EFTEM (energetické filtrování elektronů během zobrazování)

•        STEM mód s HAADF detekcí (možností zobrazování elektronů rozptýlených pod vysokými úhly)


 Skenovací elektronová mikroskopie

JEOL JSM-7600F

p-sem

Ultravysokorozlišovací SEM od fyrmy JEOL s autoemisním zdrojem a detektory prvkového složení EDS Oxford X-Max, WDS Oxford Wawe i detektorem elektronové mikrodifrakce EBSD Oxford Nordlys II.

•       Rozlišení 1 nm při 15 kV, 1,5 nm při 1 kV v GB módu

•       Nenabíjící mód (Gentle Beam) pro redukci poškození citlivých vzorků a nabíjení nevodivých vzorků

•       Zabudovaný energetický filtr (r-filtr) energie snímaných elektronů

•       Urychlovací napětí: 100 V – 30 kV

 

FEI Quanta 200

p-sem-fei

Termoemisní SEM Quanta 200 od firmy FEI s EDS detektorem (mikrosonda) od firmy EDAX.

•       Rozlišení 3,0 nm při 30 kV

•       Environmentální mód (ESEM) pro nevodivé vzorky bez nutnosti pokovování

•       Urychlovací napětí: 200 V – 30 kV


 

Rentgenová difrakce

Automatický difraktometr Panalytical X’Pert Pro

p-xpert

Možnosti přístroje

•      Kvalitativní a kvantitativní fázová analýza

•      Analýza zbytkových napětí

•      Texturní analýza

•      Analýza změn v krystalové struktuře

•      Analyzovaná plocha vzorku od cca 5×1mm až do 20×20mm

•      Analýza vysokoteplotních fázových transformací v reálném čase díky vysokoteplotní komoře Anton Paar HTK 1200N s turbomolekulární vývěvou Edwards EXT 75 – minimální dosahovaný tlak řádově 10-4 Pa

•      Ultra-rychlý záznam dat polovodičovým detektorem PIXcel s vysokou rozlišovací schopností

•      Analýza tenkých vrstev – signál je snímán pouze z vrstvy bez ovlivnění signálem ze substrátu

•      Xe detektor (možno použít i primární monochromátor)

•      Využitelný pro objemové materiály, prášky a tenké vrstvy

•      Sekundární monochromátor pro Cu RTG lampu (je možné analyzovat i materiály na bázi železa)

Motorizovaný vzorkový nástavec s možností pohybu v osách X, Y a Z pro velké vzorky do 1 kg

Automatický difraktometr Bruker AXS D8 Discover

p-bruker

Možnosti přístroje :

•        Kvalitativní a kvantitativní fázová analýza

•        Kvalitativní a kvantitativní texturní analýza

•        Analýza zbytkových napětí (mřížková napětí)

•        Mikrostruktura (mikrodeformace, velikost krystalitů)


Optická spektroskopie
 

Atomová spektroskopie 


UV/Vis spektrofotometr Specord 210 BU

p-uv-vis

-         Spektrální rozsah 190 – 1100 nm

-         Měření transmitance, absorbance a reflektance v závislosti na vlnové délce

-         Možnost určení optických parametrů:

-         Tloušťka vrstvy

-         Spektrální index lomu a extinkční koeficient

-         Dielektrické funkce

-         U transparentních polovodičů optická šířka zakázaného pásu

 

Příslušenství

-         Přípravek pro měření transmitance pevných vzorků

-         Přípravek pro absolutní reflektanci (určení absolutní reflektance odrazivých vrstev)

-         Nastavitelný přípravek pro měření reflektance pod úhlem (rozsah 10 – 60°)

-         Integrační sféra (měření difúzní transmitance a difúzní reflektance)

 

Spektroskopický elipsometr SENTECH SE850

p-ellipsometer

-         Spektrální rozsah 240 – 2500 nm

-         Měření elipsometrických parametrů ψ, ∆, transmitance a reflektance v závislosti na vlnové délce

-         Možnost určení parametrů u jednotlivých vrstev:

-         Tloušťka vrstvy a drsnosti povrchu

-         Optické parametry

-         Spektrální index lomu a extinkční koeficient

-         Dielektrické funkce

-         U transparentních polovodičů optická šířka zakázaného pásu

-         Elektrické vlastnosti

-         rezistivita, koncentrace a pohyblivost nosičů náboje


Vibrační spektroskopie 


FTIR Spektrometr NICOLET 380

p-ftir

-         rozsah 7800 – 350 cm –1

-         Měření transmitance, absorbance a reflektance v závislosti na vlnové délce infračerveného záření

Příslušenství:

-         Přípravek Spekulární reflektance (pro analýzu povrchu)

-         Přípravek Smart SAGA (pro analýzu tenkých vrstev na odrazivých substrátech, úhel dopadu 80°, citlivost měření: vrstvy tloušťky ~ 0,1 nm)

-         Nástavec iTR Ge s efektem zeslabeného úplného odrazu s germaniovým krystalem  v rozsahu 4000 – 400 cm –1

-         Rozebíratelná kapalinová kyveta s možností měnit optickou dráhu

 

DXR Ramanův spektrometr

p-raman

•         Spektrální rozsah 3000 – 50 cm-1

•         K dispozici 4 excitační lasery (532nm, 633nm, 780nm vysokovýkonný, 780nm vysokojasový), motorizovaný stolek s pohybem ve 3 osách

•         Mikroskop je vybaven okulárem pro vizuální náhled a zároveň videoobraz

•         Hlava může nést až 5 objektivů – 4x, 10x, 20x, 50x, 100x s dlouhou pracovní vzdáleností

•         Velmi lokální analytická metoda – průměr stopy v řádech mikrometrů

 

Možné využití Ramanovy spektroskopie:

•         Analýza mikrostruktury látek s polarizovatelnými molekulami

•         Možnost identifikace chemických sloučenin

•         Homogenita struktury

•         Polymerní a biopolymerní aplikace

•         Farmaceutické aplikace

•         Mineralogie, pravost a kvalita vzácných nerostů

•         Kontrola surovin

•         Umění a archeologie


Doplňková zařízení

Analýza povrchové morfologie

KLA-Tencor P-6 Profilometr

KLA

Profilometr slouží k analýze povrchů, které mapuje hrotem o o poloměru 2 μm. Je vhodný pro měření drsnosti, tloušťky vrstev od několika nanometrů a mapování nerovností na povrchu nebo měření napětí v tenké vrstvě. Systém je umístěn na antivibračním stole a je vybaven softwarem Apex pro analýzu naměřených dat, umožňuje pokročilé 3D zobrazení měřené oblasti a snadno počítá více než 40 parametrů, včetně povrchové drsnosti povrchu, vlnitosti, hustotu píků a dalších parametrů pro 2D nebo 3D data.

Metalografický mikroskop Epiphot 200

epiphot

SPECIFIKACE MIKROSKOPU:

Pozorování ve světlém poli

Pozorování v tmavém poli

Pozorování v polarizovaném světle

Nomarski DIC

Zvětšení 50x – 1000x

Obrazová analýza


Charakterizace solárních článků

Solární simulátor Newport Oriel třídy AAA

oriel

Spektrální rozsah 400 – 1100nm

Uniformní kolimované světlo na ploše 100x100mm

Xenonová oblouková lampa 450W

100mW/cm

Filtr AM 1,5 Global

Splňuje normy EIC 60904-9:2007 JIS C 8912, ASTM E927-05

 

Měření voltamperových charakteristik solárních článků

Stanovení parametrů solárních článků:

Napětí naprázdno (Voc)

Proud nakrátko (Isc)

Proudová hustota (Jsc)

Faktor plnění (Fill factor – FF)

Účinnost článku (μ)

Maximální výstupní výkon (Pmax)

Newport IQE-200

iqe

měření kvantové účinnosti absorpce světla v polovodičových materiálech


Nanoindentace a tribologie

NanoIndenter XP se systémem CSM

nanoindenter

Vysoce přesný přístroj pro hodnocení mechanických vlastností v mikro- a nano-objemech

Charakterizace povlakovaných systémů

Měření jednotlivých fází

Měření hloubkových změn

Záznam indentačních křivek F - h

Zatížení F:                                         1 μN - 10 N

Přesnost měření zatížení:                50 nN

Maximální hloubka vtisku h:           500 μm

Přesnost měření hloubky vtisku:    10 nm

Poziční přesnost:                              1,5 μm

Zvětšení mikroskopu:                        200x, 400x, 1000x

Indentory:                                           Vickers, Berkovič, kulička, roh krychle

 

Přídavný modul CSM (continuous stiffness measurement - kontinuální měření tuhosti)

k  primárnímu zatížení je superponováno oscilační zatížení s  frekvencí 0,05 - 200 Hz a  amplitudou 60 nN - 300 mN

přístroj analyzuje dynamickou odezvu materiálu na tento způsob zatěžování a měří změny kontaktní tuhosti S kontinuálně v průběhu zatěžování

lze kontinuálně zaznamenat hloubkové změny hodnot nanotvrdosti a indentačního modulu pružnosti v průběhu pronikání indentoru do materiálu

Modul pro microscratch test

maximálním zatížení                     200 mN

Profilometrická měření

kontaktní síla                                  1 μN

Vysokoteplotní tribometr HT CSEM

ht

Měření průběhu koeficientu tření

Hodnocení opotřebení (po proměření vzniklé drážky mikroskopem nebo profilometrem)

 

Metoda Pin-on-disk

Pin: kulička, váleček nebo jiné těleso

Pohyb pinu po kruhové dráze s definovaným zatížením

Zatížení:                             1, 2, 5, 10 N 

Úhlová rychlost:              1 500 rpm

Maximální teplota           800°C

Vysoká teplotní stabilita

Rozměry vzorku:             rmax = 55 mm

                                                           hmax = 10 mm

Možnost použití maziv a plynných atmosfér

Software pro řízení přístroje, záznam a zpracování dat


Mechanická zařízení

LectroPol 5: zařízení pro elektrolytické leštění a leptání

lep

Leštění a leptání metalografických vzorků z materiálů (např. austenitických ocelí, superslitin, neželezných kovů), které jsou odolné vůči běžně používaným chemickým leptadlům.

 

5 režimů – leštění, leptání, leštění a leptání, leštění a externí leptání, externí leptání.

 

Zařízení obsahuje databázi metod leštění a leptání pro různé materiály, ale umožňuje i automatické skenování materiálu pro snadné nastavení parametrů preparace.


Patička